日本sanyu-electron濺射設備原理

• 直流濺射-在兩個電極之間施加直流電壓的方法
• 射頻濺射-如何施加交流電（高頻）
• 磁控濺射-一種通過在磁體的靶側產生磁場來從樣品中分離血漿的方法。
• 離子束濺射-一種在與靶標或樣品不同的位置產生離子并加速向靶標施加的方法。

此外，還有相反的目標，用于ECR（電子回旋加速器）和半導體制造的準直儀以及長距離方法。另外，已經開發了用于磁控管方法的各種方法，其中改變了靶的形狀和磁體的布置。

• 必須引起輝光放電，并且設備內部的真空度相對較低，這會受到殘留氣體的影響。具體而言，膜與氣體反應，或者氣體被捕集在膜中。
• 氣體處于分為離子和電子的等離子體狀態，樣品也暴露于高溫等離子體中。由于溫度上升而損壞。
• 當原料（靶）是絕緣體時，離子沉積在表面上，并且放電停止。

• 磁盤（垂直磁記錄介質的生成）
• CD / DVD（記錄面上的金屬膜）
• 半導體（電路產生。存儲器[鐵電膜]，各種傳感器）
• 磁頭（用于高密度記錄的硬盤。新的使用多層膜的磁頭）
• 噴墨打印機頭
• 液晶顯示裝置（透明電極的產生）
• 有機EL顯示裝置（透明電極的產生）
• 高亮度LED
• 電子顯微鏡的樣品制備（通過導電膜防靜電）
• 光催化薄膜
• 分析（確定通過濺射跳過的表面物質，而不是成膜的物質）
• 納米機（形狀記憶合金膜）
• 在塑料和玻璃上產生電磁屏蔽膜