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    技術文章

    日本napson薄膜電阻檢測儀EC-80P技術解析

    日本napson薄膜電阻檢測儀EC-80P技術解析

     

    產品特點

    • 只需觸摸手持式探頭即可進行電阻測量。
    • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
    • 使用JOG撥盤輕松設置測量條件
    • 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的,因此它支持廣泛的電阻。
    • (電阻探頭:多可以使用2 + PN判斷探頭)
    • 測量規格

      測量目標

      相關(硅,多晶硅,碳化硅等)半導體/太陽能電池材料
      的新材料/相關功能性材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
      導電薄膜相關的(金屬,ITO等)
      硅基外延離子注入的樣品
      化合物與半導體有關的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
      其他(*請與我們聯系)

      測量尺寸

      無論樣品大小和形狀如何均可進行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

      測量范圍

      [電阻率] 1 m至200Ω·cm
      (*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um)
      [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
      (*所有探頭類型的總范圍)

      *有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內容。
      (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
      0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
      (3 )高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??cm)
      (4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
      (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)

    聯系人:林經理
    地址:深圳市龍崗區龍崗街道新生社區新旺路和健云谷2棟B座1002
    Email:akiyama_linkkk@163.com
    郵編:
    QQ:909879999

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